Сонячна панель LONGI LR8-48HGD-445M-445Wp (BFR)(28.89V 15.41A)(1762х1134х30), Q36

Name: Сонячна панель LONGI LR8-48HGD-445M-445Wp (BFR)(28.89V 15.41A)(1762х1134х30), Q36
Brand: Longisolar
SKU: yugtorg_40738
Price: 5970.00 UAH
Availability: OutOfStock

Виробник: Longisolar Код товару: LR8-48HGD-445M

Все про товар

Опис

Характеристики

Сонячна панель LONGI LR8-48HGD-445M-445Wp (BFR)(28.89V 15.41A)(1762х1134х30), Q36

Немає в наявності

₴5 970.00

Модель:LR8-48HGD-445M (Hi-MO 8)

Виробник:Solar

Країна:Китай

Технологія::HPBC (Hybrid Passivated Back Contact), Half-Cut

Тип осередків:монокристалічні (G10, 120 half-cells)

Доставка

Кур'єром по місту

Новою поштою

за тарифами перевізника

Оплата

Оплата за рахунком

Готівкою

Доставка і оплата

Сонячна панель LONGI LR8-48HGD-445M-445Wp (BFR)(28.89V 15.41A)(1762х1134х30), Q36

₴5 970.00

Опис

1. Основні дані

Виробник: LONGi Solar
Країна: Китай
Модель: LR8-48HGD-445M (Hi-MO 8)
Технологія: HPBC (Hybrid Passivated Back Contact), Half-Cut
Тип осередків: монокристалічні (G10, 120 half-cells)

Конструкція подвійне скло

Код модифікації: Q36 (посилена конструкція)

2. Електричні характеристики (STC)

Потужність (Pmax): 445 Вт
Напруга (Vmp): 28.89 В
Струм (Imp): 15.41 А
Напруга холостого ходу (Voc): 34.5 В
Струм короткого замикання (Isc): 16.15 А
ККД модуля: 22.3%
Допуск потужності: 0 ~ +5 Вт
Макс. напруга системи: 1100 В

3. Температурні коефіцієнти

Потужність (Pmax): -0.29 %/°C
Напруги (Voc): -0.26 %/°C
Струму (Isc): +0.04 %/°C
Робочий діапазон: -40°C ~ +85°C

4. Механічні характеристики

Габарити (Д×Ш×Т): 1762×1134×30 мм
Вага: 21.5 кг
Конструкція: безрамкова (BFR), подвійне скло
Захист: IP68, навантаження до 5400 Па
Рознімання: MC4 (30A)

Де використовується

Для приватних будинків, дач, фермерських господарств, комерційних об'єктів і малого бізнесу. Сумісна з гібридними інверторами через MPPT-контролер. Доставка по Україні, склад і сервіс у Харкові, консультація з підбору.

Характеристики

Технічні характеристики

Модель

LR8-48HGD-445M (Hi-MO 8)

Виробник

Solar

Країна

Китай

Технологія:

HPBC (Hybrid Passivated Back Contact), Half-Cut

Тип осередків

монокристалічні (G10, 120 half-cells)